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HORIBA VS7000光谱仪

概要      VS7000是一款高性能、低成本、小型化的光谱仪,配备了高量子效率的背照射CCD,拥有高达5600:1的动态响应范围。标配CCD具有90%的峰值量子效率、感光单元高300μm、无ant......

  • 型号:VS7000
  • 品名:光谱仪
  • 品牌:HORIBA
  • 产地:日本
  • 货期: 请联系确认
  • 价格:需报价
概要      VS7000是一款高性能、低成本、小型化的光谱仪,配备了高量子效率的背照射CCD,拥有高达5600:1的动态响应范围。标配CCD具有90%的峰值量子效率、感光单元高300μm、无anti-blooming。同时HORIBA还提供具有更高动态范围(7000:1)、anti-blooming功能的CCD(另有1mm高可选)。      VS7000非常适用于弱光测量的应用,如荧光和诸多发射光谱。特征高读出速率高量子效率极低杂散光三个标准光谱范围可选:200-860 nm380-750 nm200-1050 nm最常用的光谱范围:200-860nm(拥有优异的峰型对称)读出速率最快可达2.3 ms低噪声电路、高线性度和线性校正该背照射线CCD具有市面上很高的量子效率:65 % (250 nm)>90 % ( 650 nm)70 % (850 nm)\ \ 规格参数\ \ 可选光谱范围UV-VIS:200-860nm,配备250nm闪耀光栅,内置二级衍射滤光片VIS:380-750nm,配备可见光区域优化的光栅,内置长通滤光片UV-NIR:200-1050nm,配备双闪耀波长光栅,内置二级衍射滤光片数值孔径F/3杂散光抑制比典型(最大)UV-VIS型 0.04% (0.08%) 注:在配备510nm宽带滤光片和75μm狭缝时测试CCD探测器典型量子效率被照射CCD、NIR波段超低etaloning 效应量子效率:65%(250 nm) - >90%(650 nm)- 70%(850 nm)探测器高度和光纤直径CCD感光面高300 μm,另有直径300 μm、1.5 m长的光纤可选配热电稳定性必须扣除暗电流(CCD图样噪声)使用者需关闭光源或在光路上安装快门CCD和PDA探测器的量子效率会随着温度变化有微小变化光谱分辨率像素分辨率狭缝(定制化)光谱分辨率:2.6nm,在UV-VIS、75 μm狭缝、1024像素CCD下测试像素分辨率:0.65 nm /像素(测量253nm/365nm/435nm/546nm/696nm/811nm处的分辨率后取平均值)如需亚纳米级的分辨率,可选择12 μm 和 37 μm 狭缝对于OEM应用,另有定制化光栅和狭缝CCD满阱优化原始非线性度校正后非线性度168 Ke-(对1024像元CCD线性校正后测试)原始非线性度:<2.5%校正后非线性度:<0.6%非线性度说明:偏离直线最大最小值之差除以65000典型读出速度4.45 ms(1 MHz模式)225 光谱/s,0曝光时间(多道采集模式)最大读出速度2.35 ms(超快模式)425光谱/s,0曝光时间(多道采集模式)积分时间1 μs(包括读出时间)至 5-10s(参考上述读出速度限制)当曝光时间达数秒,需考虑增加暗噪声平方根(暗电流)典型暗电流4 count/ms(最高9 counts/ms),在20℃室温,1MHz模式下 典型的偏移: 1000 counts典型读出噪声1MHz模式下30 e-(最高35 e-)A/D 转换速度1MHz模式下16 bit典型的动态范围1MHz模式下5600:1(低速模式下可达到更大动态响应范围)典型性噪比405:1 (当起伏噪声为限制因素时,取满阱平方根)增益2.5 e-/count标准CE 和 RoHS尺寸长4.9 x 宽3.9 x 高2.9 英寸 (124.5 x 99 x 74 mm)(对OEM特殊需求,请与我们联系)\ \ \ \ \ \ 产品应用
可选光谱范围UV-VIS:200-860nm,配备250nm闪耀光栅,内置二级衍射滤光片VIS:380-750nm,配备可见光区域优化的光栅,内置长通滤光片UV-NIR:200-1050nm,配备双闪耀波长光栅,内置二级衍射滤光片数值孔径F/3杂散光抑制比典型(最大)UV-VIS型 0.04% (0.08%) 注:在配备510nm宽带滤光片和75μm狭缝时测试CCD探测器典型量子效率被照射CCD、NIR波段超低etaloning 效应量子效率:65%(250 nm) - >90%(650 nm)- 70%(850 nm)探测器高度和光纤直径CCD感光面高300 μm,另有直径300 μm、1.5 m长的光纤可选配热电稳定性必须扣除暗电流(CCD图样噪声)使用者需关闭光源或在光路上安装快门CCD和PDA探测器的量子效率会随着温度变化有微小变化光谱分辨率像素分辨率狭缝(定制化)光谱分辨率:2.6nm,在UV-VIS、75 μm狭缝、1024像素CCD下测试像素分辨率:0.65 nm /像素(测量253nm/365nm/435nm/546nm/696nm/811nm处的分辨率后取平均值)如需亚纳米级的分辨率,可选择12 μm 和 37 μm 狭缝对于OEM应用,另有定制化光栅和狭缝CCD满阱优化原始非线性度校正后非线性度168 Ke-(对1024像元CCD线性校正后测试)原始非线性度:<2.5%校正后非线性度:<0.6%非线性度说明:偏离直线最大最小值之差除以65000典型读出速度4.45 ms(1 MHz模式)225 光谱/s,0曝光时间(多道采集模式)最大读出速度2.35 ms(超快模式)425光谱/s,0曝光时间(多道采集模式)积分时间1 μs(包括读出时间)至 5-10s(参考上述读出速度限制)当曝光时间达数秒,需考虑增加暗噪声平方根(暗电流)典型暗电流4 count/ms(最高9 counts/ms),在20℃室温,1MHz模式下 典型的偏移: 1000 counts典型读出噪声1MHz模式下30 e-(最高35 e-)A/D 转换速度1MHz模式下16 bit典型的动态范围1MHz模式下5600:1(低速模式下可达到更大动态响应范围)典型性噪比405:1 (当起伏噪声为限制因素时,取满阱平方根)增益2.5 e-/count标准CE 和 RoHS尺寸长4.9 x 宽3.9 x 高2.9 英寸 (124.5 x 99 x 74 mm)(对OEM特殊需求,请与我们联系)
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